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元器件采购网 > U-213页 > FET - 阵列UPA2757GR-E1-AT

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UPA2757GR-E1-AT

8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) Renesas Electronics America 闂佹椿婢€缁插鎯佹禒瀣櫖闁跨噦鎷�0755-83217923
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UPA2757GR-E1-AT参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:36 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:400pF @ 10V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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